硒代半胱氨酸银
3光子红外晶体的最大透过率范围为1100 nm至18 μm
大的非线性光学(NLO)系数(deff ≈ 27-33 pm/V)
宽的光谱和角接受范围
由于复杂的生长过程而价格昂贵
与AGS相比,非线性度大约大2-3倍
可提供用于中红外(MIR)和红外(IR)范围的高损伤阈值涂层
大的非线性光学(NLO)系数(deff ≈ 27-33 pm/V)
宽的光谱和角接受范围
由于复杂的生长过程而价格昂贵
与AGS相比,非线性度大约大2-3倍
可提供用于中红外(MIR)和红外(IR)范围的高损伤阈值涂层
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1
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产品详情
硒代半胱氨酸银(AgGaSe2,有时也称为硒化镓银)广泛应用于中红外 (MIR)、红外 (IR) 和远红外 (FIR) 光应用,是三波相互作用的最佳晶体之一。大的非线性光学 (NLO) 系数使 AGSe 成为最常用的用于非线性光学 (NLO) 应用的红外晶体之一。
与 AGS 相比,硒代半胱氨酸银 (AGSe) 的红外吸收系数更低,熔点也更低。
应用
在 CO(5-6 μm)和 CO2(10.6 μm)激光系统中实现高效二次谐波产生 (SHG)
由 Ho:YLF(2050 nm)泵浦的光学参量振荡器 (OPO),输出波长可在 2.5 至 12 μm 之间调节
不同的频率发生器用于中红外和远红外区域,直至其红外截止波长约
18 μm
在 OPA 中作为 ZGP 晶体的替代品,2.09 μm -> 3-5 μm
在第二阶段(在 800 nm 泵浦的 OPO 之后)为了产生更长的波长 7-20 μm
特点
从 1100 nm 到 18 μm 的三光子红外晶体最宽的透明范围
大的非线性光学 (NLO) 系数 (deff = ~27-33 pm/V)
宽光谱和角接受度
由于生长过程复杂,价格昂贵
非线性度比 AGS 大约 2-3 倍
适用于中红外 (MIR) 和红外 (IR) 范围的高损伤阈值涂层
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