产品

产品中心
undefined
undefined
+
  • undefined
  • undefined

AgGaGe₅Se₁₂

与AgGaS₂(AGS)相比,AGGSe晶体在中红外(2-12μm)应用中具有显著优势,它具有更高的激光损伤阈值、更大的双折射率和更宽的相位匹配能力。其优化的带隙和结构多功能性使其能够高效地进行频率转换,适用于高功率固态激光器和特殊的非线性光学系统。

关键词:

中红外晶体

电话:

产品详情

主要参数

非线性光学系数:d 31 =28 pm/V

透射范围:0.63–16 μm

激光损伤阈值:220 MW/cm 2

禁带宽度:2.2 eV

 

相关产品



KDP/DKDP



PPLN Waveguide



铌酸锂



PPLN RPE 波导



多功能集成光芯片



LN强度调制器

产品咨询